龐學林在生物醫學研究中心待了將近一下午的時間，根據石毅、楊和平、安德魯·懷特他們給出的動態apt各項參數，提出了許多有用的修改意見。

    他在生化危機世界基本上天天都要用上動態apt技術，對這個設備的性能和各方麵參數都了如指掌，因此給出各種有益的意見也就不足為奇了。

    石毅、楊和平、安德魯·懷特也不以為意，龐學林名聲在外，再加上和龐學林經常接觸，對於這家夥身上出現什麽奇跡，他們都不會覺得奇怪了。

    當然，對於動態apt技術，他們三人同樣報以厚望。

    冷凍電鏡技術能獲得諾貝爾化學獎，那麽比冷凍電鏡技術更具現實意義的動態apt技術，無疑也能獲得。

    而且龐學林已經獲得過一次諾貝爾化學獎，他們三人，正好可以瓜分一期諾獎。

    龐學林在生物醫學研究中心待了一下午時間，了解了一下apt設備的研發情況，第二天，又去了徐興國領導的碳基芯片研發中心。

    目前全球半導體材料的發展已經接近物理極限，集成電路代工領域最強的台積電，已經完成3納米工藝的商業化量產，2納米工藝也接近研發完成。

    而中國最強的半導體製造商中芯國際，依舊卡在7納米工藝製程上，與台積電依舊有著兩代的差距。

    之前中美貿易戰的時候，美國曾經對華為發起過全麵技術封鎖，號稱任何隻要使用了美國技術的企業，都不許和華為合作。

    直到鋰空氣電池橫空出世，中國憑借鋰空氣電池的巨大優勢，才算解除了西方國家的技術封鎖，華為麵臨的危機也迎刃而解。

    但即便如此，在涉及集成電路高端製造領域，中國與西方國家依舊有著不小的差距。

    別的不說，單單阿斯麥公司的極紫外光刻機（euv），匯聚了所有西方國家最頂尖的製造技術，堪稱人類有史以來最精密的工業品。

    與航空發動機一起，成為工業製造皇冠上的一顆明珠。

    在矽基集成電路時代，西方國家有著巨大的先發優勢，中國很難在這一領域與西方國家展開競爭。

    這一點，就連龐學林也沒什麽辦法。

    讓他在理論上有所突破可以，讓他快速提升國內工業製造水平，龐學林同樣一籌莫展。

    矽基芯片製程上的差距，讓中國很難在短時間內追上西方發達國家。

    但矽基領域沒辦法彎道超車，並不意味著沒有另辟蹊徑的辦法。

    碳納米管被科學家們給予了厚望。

    這與其本身的特性息息相關。

    首先，碳納米管芯片身量雖小，但節能增效能力卻更強。

    碳納米管是由單層碳原子卷成管狀的碳材料，導電性能極好，而且，碳元素在地球上的儲量十分豐富。

    碳納米管的直徑可以根據工藝的不同製成幾納米到幾十納米長；管壁厚度更小，根據壁層碳原子數量不同，碳納米管可以分為單壁碳納米管和多壁碳納米管；在同樣集成度的情況下，碳納米管芯片比矽元器件體積更小。

    同時，碳納米管的韌性極高，可以承受彎曲、拉伸等應力，電信號傳輸過程的延遲很短，所以，從材料物理屬性上看，碳納米管具有替代矽芯片的潛力。

    其次，碳材料具有多種同素異形體，除了碳納米管以外，還有人們熟知的金剛石、石墨、富勒烯、活性炭等等。

    其導電性質強烈地依賴於結構，可以由絕緣體轉變為半導體、由半導體變為導體。

    而且，它的導電方式和原理與傳統的晶體管不一樣，有更強的傳導能力。

    另外，現有的晶體管在導電過程中無可避免地會產生漏電流，漏電會導致發熱，而碳納米管可以避免這一問題，故而能效相對較高。

    從理論上講，碳納米管芯片的能量利用率有望超過現有芯片的能效比（60至70）。

    發熱問題的解決也給芯片的散熱降低了壓力。

    矽晶體管的功耗很大，在小小的芯片空間內，發熱極其嚴重，為了不使芯片過熱無法工作，還需要分配部分的功耗用於芯片的散熱，這使得矽晶體管功耗增大。

    而碳納米管芯片本身產熱就少，加上碳納米管本身的熱導率很高，有效地減少了用於散熱的能耗，所以碳納米管的能效會遠遠高於以矽為材料的晶體管。

    世界範圍內，最早實現碳納米管器件製備的是ib，其在2014年成功製備出碳納米管20n柵長器件，不過，該器件性能比預期差很多。

    近年來，也有國外的各類實驗室號稱製備出1n柵長的碳納米管器件，但更多的隻是噱頭，實際使用性能很差。

    而中國在碳納米管器件的研究，在龐學林完成超高純度電子級碳納米管量產製備以後，徐興國帶領的團隊開始在高性能碳納米管（os互補金屬氧化物半導體）晶體管的無摻雜製備、晶體管的極性控製方麵進行深入研究，並且有了有很多技術積累。

    其中該團隊製備的柵長為10納米的碳納米管頂柵os場效應晶體管（對應於5納米技術節點）已經成功攻克器件結構和製備工藝等相關難題。

    不僅如此，其製備出的碳納米管器件的性能也遠遠超過國際上已報道的碳納米管器件。

    對於常規結構製備的碳管晶體管，其柵長在5納米以下時就會較為明顯地受到短溝道效應和隧穿漏電流影響，以往融合高介電柵介質薄膜的做法很難有效地解決漏電問題，使得器件也不能有效地關斷。

    徐興國團隊改用石墨烯替代金屬作為碳管晶體管的源漏接觸，從而有效地抑製了短溝道效應和源漏直接隧穿。

    而且，由於5納米柵長的碳管器件開關轉換僅有1個左右的電子參與，使得門延時（42飛秒）接近二進製電子開關器件的物理極限（40飛秒，由海森堡測不準原理和香農—馮諾依曼—郎道爾定律決定）。

    這是中國首次掌握了世界上最先進的晶體管技術，而且整體技術成熟極高，隨著碳納米管成本下降及工藝良品率的提高，該技術有望成為最先進的芯片製造技術。

    而這種新技術的掌握，相當於現有最先進的矽基技術六代以上的優勢（領先20年），使得國際芯片巨頭的優勢將不複存在，國內半導體製造產業將會在不遠的未來實現彎道超車。

    事實上龐學林在徐興國的實驗室裏，就見到了來自華為以及中芯國際的工程師。

    按照徐興國的說法，第一代碳基芯片將會在未來一年內實現量產，首先應用於華為的5g基站產品。

    至於消費端的碳基芯片，估計還要再過兩年時間，才能在手機、pc等領域大規模應用。