大約三百萬美金就這樣很快用掉了，一百萬美金的芯片測試機器，約一百萬美金的da軟件，一百萬美金的芯片流片費用，

    真是太燒錢了！！！

    難道就不能節省一點？例如在da軟件上…

    對於購買芯片測試機器，芯片流片費用，可能有人表示理解，

    但是，da軟件為什麽就這麽貴?也要花費那麽多錢？隻是在電腦運行一款軟件而已!很多人也許不理解吧！

    因為da軟件在電子電路設計是非常重要的，通過da軟件在電腦進行電子電路設計，極大地縮短設計工期，提高效率，防止設計錯誤，

    特別是芯片集成電路上，數千萬或者數億級晶體管電路上…，

    對已經設計出電子電路，可以在電腦上進行仿真，提前預估電子電路的功能，進而可以修改，以達到電子電路設計時製定的目標，

    …

    另外，da軟件已經被國外巨頭瓜分，or，基本占據各大芯片設計公司和芯片製造工廠，形成了一種壟斷！

    da軟件分為三種工作模式芯片設計模式，pcb電路板設計模式，仿真模式，

    且這三種軟件模式基本上是獨立分開的，在價格上芯片設計是最貴的，仿真軟件次之，pcb板級軟件算便夷，

    在華夏國，pcb板級軟件安裝在每一台電腦的價格最便夷精簡版為1萬美金，最貴的商用版本為6萬美金，

    而李飛隻是在兩台電腦上，安裝da軟件商用版本，三種軟件工作模式，作為芯片設計公司是必須花錢購買，真是節省不了！！！

    當然，da軟件也是李飛的芯片產業計劃之一！

    …

    好在錢匯入對方公司後，就立即發貨（da軟件是序列號），這樣就能提前讓f芯片量產，提前變現。

    不過，芯片製造就沒有那麽快發貨，

    把芯片製造資料發給台極電後，需要一番檢查，例如芯片製造材料和製造工藝上，以及芯片設計…，

    大約三後，台極電郵件回複，告知芯片的設計不符合台極電主流工藝，原因是f芯片是模擬電路，應該采用雙極ttl晶體管工藝，數字電路一般用s工藝，

    為了提高f芯片的量產生產力，建議采用成熟的雙極ttl晶體管工藝。

    如貴公司繼續堅持f芯片采用s工藝，那麽，芯片的流片時間可能需要延後，

    …

    看著台極電發過來的郵件，李飛嗬嗬一笑，

    台極電是在拖延時間，製造工藝隻不過這是拖延時間的理由而已，

    因為台極電的客戶太多了，優先滿足製造國際芯片設計巨頭，例如高通，飛思卡爾，t，索尼等國際芯片設計巨頭，

    對於剛剛建立的大深市芯片產業公司，在台極電眼裏幾乎是不能再的芯片設計公司，在芯片製造產能上，絕對延後再延後，

    甚至是芯片正在生產過程中，一旦芯片設計巨頭下了生產訂單，就馬上下線，優先供應製造芯片設計巨頭公司。

    …

    李飛這樣確定，是因為os工藝已經非常成熟了，

    在工藝已經出現，隻不過早期的os器件性能也較差，但由於os器件的功耗極低，集成度也高，用以製造數字集成電路可很好地解決最迫切的功耗問題，

    於是，在數字集成電路的製造中首先得到廣泛應用，並得到快速發展，特別是自年代以來，更成為等vls的主導製造工藝，在電腦芯片工藝應用上十分廣泛。

    由於os工藝具有電流，抗幹擾能力強，集成度高等一係列的優點，

    各大芯片設計巨頭公司開始在模擬芯片電路進行os工藝研究設計…，

    而李飛利用重生前的芯片技術積累，用os工藝製造f芯片，可以在f芯片市場上是非常先進的芯片工藝技術了！

    那麽，如果f芯片使用雙極ttl晶體管工藝，在市場上沒有優勢了！最重要的是f芯片後續應用於汽車和手機，可能就沒有技術優勢了，因為汽車和手機的電磁幹擾非常大，

    於是，李飛親自打電話給台極電專業負責客服工程電話，客氣地道“你好，我是大深市芯片產業的工程師李飛，關於貴司的郵件告知我司的芯片流片還需要延遲，到底是什麽原因？”

    對方態度不友善地道“哦，你f芯片工藝要求是s，可是目前f芯片主流可是雙極ttl，”

    李飛壓住心中怒氣，平和道“現在芯片工藝主流是s…，”

    沒等李飛把話完，對方打斷了，並輕蔑地“你們內地人不懂，芯片是高科技產品，和你不清，簡單地，你的f芯片采用os工藝，是比較複雜，在芯片製造上工序比較多，所以，芯片流片時間需要延緩…”

    李飛樂嗬一笑，在本人麵前談論芯片製造工藝，你還嫩了一點，重生前，本人在英特爾是副總裁，負責英特爾的芯片設計和芯片製造，

    同時，李飛從內心上，認為不必和這人一般見識，不必再繼續下去…，

    但為了f芯片早點量產，早點讓f芯片進入市場變現，李飛不得不展示芯片研發實力，給一點顏色看看，讓對方知道什麽是研發技術大神。但沒有必要再客氣了，就命令道“你不要打斷我話！如我得沒有錯的話，os工藝流程大概是這樣的

    先是準備n型矽片，用以製造晶體管。（注os工藝是在工藝基礎上發展起來的）

    再使用濕氧化方法，在矽片上生長設定厚度（如約06微米）的二氧化矽層，作為製造p型區的掩蔽層。隨後光刻p型區。

    接著，光刻出nos晶體管的p阱區和pos晶體管的源、漏區後，使用氮化硼片作摻雜源進行硼預澱積。

    在澱積硼以後，進行雜質推進擴散，形成nos晶體管的p阱，在推進擴散的同時，也進行幹氧化，接著進行濕氧化預定時間（如20分鍾），該二氧化矽層作為光刻n型區的掩蔽層。

    如光刻出n型摻雜區，然後進行磷摻雜擴散，形成nos晶體管的源、漏區；

    在磷擴散以後，進行濕氧化預定時間（如20分鍾），該二氧化矽層用以製造柵氧化區的的掩蔽層；

    光刻出晶體管的柵區，然後使用幹氧化方法，生成設定厚度的柵二氧化矽層（如500納米製程），”

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