院士出生地
    吳漢明院士，1952年6月出生於江蘇常州武進。
    武進現為江蘇省常州市所轄的一個行政區，它地處江蘇省南部，常州市東部，內抱常州市區，東與無錫市濱湖區、江陰市接壤，南與無錫市宜興市毗連，西與常州市金壇區、鎮江市丹陽市相鄰。
    武進曆史悠久，5000多年前就有人類定居在這裏，新石器時代形成原始村落。
    春秋時期，這裏稱延陵邑，是吳國季劄封地，淹城是保存完整的西周至春秋早期地麵城池遺址。
    秦置延陵縣，漢改稱毗陵縣、毗壇縣。
    三國吳嘉禾三年234年），孫權取“以武為進”之意，將丹徒改名武進。晉太康二年281年）置武進縣。
    南朝宋、齊、梁、陳時，武進縣隸屬多有變化。
    隋開皇九年589年），蘭陵縣並入曲阿縣。
    唐武德三年複置武進縣。
    宋承唐製，元至元十四年，常州升為路，武進屬常州路。
    明泰昌元年，常州府改稱嚐州府，清順治二年複為常州府。
    雍正四年1726年），武進縣分東部置陽湖縣。
    宣統三年1911年），陽湖縣並入武進縣。
    1949年4月23日，武進解放，縣城析出建立常州市。
    1995年撤縣設市，2002年撤市設區，2015年撤銷常州市武進區和戚墅堰區，設立新的武進區。
    武進人文底蘊深厚，它是吳文化發源地之一，擁有國家級非物質文化遺產常州象牙淺刻，省級非物質文化遺產調強牛，還有國家級文物保護單位春秋淹城遺址與京杭大運河。
    武進的建築風格融合了江南水鄉的特色，多為白牆黑瓦、飛簷翹角的傳統民居，如楊橋古鎮等，古建築與河流、橋梁相互映襯，形成了獨特的水鄉風貌。
    武進有豐富的民俗文化活動，如淹城民俗文化節等，期間會舉行舞龍舞獅、踩高蹺、蕩湖船等傳統民俗表演，還有廟會、燈會等活動，熱鬧非凡。
    武進名人輩出，蕭道成，南朝齊國的開國皇帝，武進人。
    他出身於蘭陵蕭氏，在劉宋末年掌握朝政大權，後廢宋順帝，建立南齊，在位期間推行了一係列改革措施，對南朝政治、經濟和文化的發展產生了重要影響。
    盛宣懷，清末官員、洋務派代表人物，出生於武進。
    他參與或主持創辦了輪船招商局、中國電報總局、北洋大學堂等近代新興事業，對中國近代化進程起到了推動作用。
    出生地解碼
    江蘇常州武進對吳漢明院士的成長和成就有著多方麵的深遠影響。
    武進是吳文化的發源地之一，有著5000多年的曆史，先後誕生了19位帝王、9名狀元和1546名進士，有著深厚的文化底蘊和濃厚的學術氛圍。這種文化傳承和學術傳統，可能在潛移默化中激發了吳漢明對知識的渴望和對學術成就的追求，激勵著他在學術道路上不斷探索和進取。
    武進區重視教育，擁有較為優質的教育資源。
    在吳漢明的成長過程中，當地的學校和教育機構，為他提供了良好的學習環境和教育條件，幫助他打下了堅實的知識基礎。
    同時，豐富的教育資源也可能讓他有機會接觸到前沿的學術信息和優秀的教師，從而得到更好的指導和培養。
    武進區擁有以電子等為主導的工業體係。
    這樣的產業環境使他從小就有更多機會接觸到電子相關產業，對集成電路等領域產生興趣。
    在他後來的研究工作中，當地的產業需求也可能為他的科研提供了方向和動力，促使他致力於解決芯片製造等方麵的技術難題，為當地乃至國家的產業發展做出貢獻。
    常州人通常具有勤奮、務實、創新的性格特點。
    在這樣的地域文化環境中成長，吳漢明可能深受其影響，養成了腳踏實地、刻苦鑽研的工作作風，以及勇於創新、敢於突破的精神品質，這些性格特點對他在科研領域取得成就起到了重要作用。
    院士求學之路
    1976年，吳漢明從中國科學技術大學畢業。
    1978年，吳漢明成為“文革”後第一批碩士研究生。
    1987年，吳漢明從中國科學院力學研究所畢業，獲得等離子體和磁流體力學博士學位。
    博士畢業後，吳漢明先到美國得克薩斯大學奧斯汀分校和加利福尼亞大學伯克利分校進行博士後研究，同時在加州諾發公司和英特爾公司任高級研發工程師。
    求學之路解碼
    中國科學技術大學以理工科見長，注重基礎學科教育。
    吳漢明在此係統學習數學、物理等基礎課程，培養了嚴密的邏輯思維與科學方法論。
    這為他日後涉足集成電路製造這一高度依賴物理原理如等離子體物理、熱力學）的領域，提供了底層知識支撐。
    例如：芯片製造中的刻蝕、沉積工藝，本質上是等離子體與材料相互作用的物理過程，紮實的數理基礎使其能快速理解技術底層邏輯。
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    吳漢明在中科院力學所攻讀博士研究生，他聚焦等離子體與磁流體力學。
    他選擇等離子體物理作為研究方向，看似與芯片製造關聯較遠，實則為其打開了跨學科視角。
    等離子體技術是半導體製造中刻蝕、薄膜沉積等關鍵工藝的核心如幹法刻蝕需利用等離子體電離氣體實現材料刻蝕）。
    這一階段的研究，讓他提前掌握了芯片製造核心環節的底層技術原理，成為後來解決工程問題的“學術武器”。
    吳漢明作為恢複高考後的首批研究生，他獲得了稀缺的深造機會。
    此時中國科技界百廢待興，他敏銳選擇前沿的等離子體物理方向，避免了在傳統學科中的內卷，為後續切入半導體這一新興領域埋下伏筆。
    20世紀7080年代，全球半導體產業正從分立器件向集成電路轉型，等離子體技術逐漸成為芯片製造的核心工藝，其研究方向與產業趨勢高度契合。
    吳漢明的等離子體研究雖未直接服務於芯片製造，卻在國家日後發展半導體時，成為稀缺的“跨學科人才”——既能理解物理原理，又具備工程轉化潛力。
    這種“超前儲備”使其在90年代後半導體產業崛起時，迅速成為關鍵技術攻關的領軍者。
    吳漢明的海外博士後研究，讓他接觸到國際前沿技術
    在美國得州大學奧斯汀分校和伯克利分校的研究經曆，讓他接觸到全球頂尖的等離子體物理實驗室。
    他了解到國際學術界在半導體相關領域的最新成果如新型刻蝕技術、薄膜沉積機理）。
    這種學術交流使其研究始終站在技術前沿，避免閉門造車。
    吳漢明求學的數理基礎→等離子體物理→半導體工藝的知識鏈條，使他能以“係統思維”看待芯片製造難題。
    例如，在解決刻蝕均勻性問題時，他既能從等離子體密度分布的物理模型出發分析，也能結合設備工程參數進行優化。
    這種“上下打通”的能力是單一學科背景研究者難以具備的。
    基於求學階段他對國際技術動態的跟蹤，早在2000年代，他就意識到“摩爾定律”演進對先進製程設備的嚴苛要求，以及國產設備自主化的緊迫性。
    這種預判使其在國家集成電路重大專項中，能夠精準布局光刻機、刻蝕機等“卡脖子”領域，推動技術攻關從“跟跑”向“並跑”跨越。
    吳漢明求學路徑中的跨學科經驗，影響了後續學術團隊的培養方向。
    例如，他在指導學生時，強調“理科基礎+工程實踐”的複合能力，培養出一批既懂物理原理、又能解決產線實際問題的複合型人才，為中國半導體產業儲備了關鍵技術力量。
    總的來說，吳漢明的求學軌跡並非線性的“專業對口”，而是通過基礎學科打底、前沿方向卡位、國際視野加持，構建了獨特的“技術基因”。
    院士從業之路
    1993年，吳漢明歸國後晉在中國科學院力學研究所工作。
    1994年，吳漢明被破格提升為研究員。
    1995年，吳漢明到美國阿拉巴馬一家公司工作，兩年便研發出世界第一套可商業化的等離子體工藝模擬的軟件。
    1999年，吳漢明加盟英特爾，成為主任工程師。
    2001年，吳漢明進入中芯國際集成電路製造北京）有限公司，擔任技術總監。
    2019年11月22日，吳漢明當選中國工程院院士。
    2020年11月6日，吳漢明受聘為湖北大學微電子學院名譽院長。2
    2024年1月，吳漢明擔任浙江大學集成電路學院院長。
    從業之路解碼
    吳漢明院士的從業經曆豐富且成果豐碩，對他後來成為院士有著多方麵的重要影響。
    吳漢明歸國後在中科院力學所工作，很快破格提升為研究員。
    在力學所的工作經曆，不僅為他提供了穩定的科研環境和資源支持，使他能夠深入開展相關研究，也讓他在國內科研界嶄露頭角，樹立了良好的學術聲譽，為後續的科研合作和項目開展奠定了基礎。
    吳漢明在美國阿拉巴馬公司工作期間，他研發出世界第一套可商業化的等離子體工藝模擬軟件。
    這一成果展示了他卓越的科研能力和創新精神，使他在國際上獲得了廣泛關注，提升了他在相關領域的知名度和影響力，為他積累了寶貴的技術資本和國際合作經驗。
    吳漢明加盟英特爾擔任主任工程師，英特爾作為全球半導體行業的領軍企業，擁有最先進的技術和管理理念。在英特爾工作，讓吳漢明有機會接觸到世界頂級的芯片製造技術和工藝，深入了解行業前沿動態和發展趨勢，同時也學習到了先進的企業管理經驗，為他回國後推動國內集成電路產業發展提供了借鑒。
    吳漢明進入中芯國際，擔任技術總監等職務。
    他在中芯國際組建了先進刻蝕技術工藝部，領導了0.13微米刻蝕工藝，在中國實現了用於大生產的雙鑲嵌法製備工藝，為中國首次實現銅互連提供了工藝基礎。
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    他還主持和參與了多項國家重大專項，推動了中國130  22納米工藝技術研發，帶領中芯國際在芯片製造技術上取得了重大突破，使中國芯片製造水平逐步縮小與國際先進水平的差距，為中國集成電路產業發展做出了卓越貢獻。
    吳漢明受聘為湖北大學微電子學院名譽院長，後來又擔任浙江大學集成電路學院院長。
    他將自己豐富的實踐經驗和前沿的學術理念融入到教學和學科建設中，為培養集成電路領域的專業人才貢獻力量，推動相關學科的發展，也進一步提升了他在教育和學術領域的影響力，促進了產學研的深度融合。
    總的來說，吳漢明院士在不同工作階段的積累和成就，為他後來當選中國工程院院士奠定了堅實的基礎。
    後記
    吳漢明院士出生地、求學之路和從業之路，對他後來成為院士產生了重大的影響。
    吳漢明院士的出生地出生地江蘇武進有著重視教育、崇尚科學的文化傳統，在潛移默化中培養了吳漢明對知識的渴望和追求卓越的精神，為他日後的發展奠定了文化基礎。
    求學之路上，吳漢明畢業於中國科學技術大學，後在中國科學院力學研究所獲得博士學位，並在美國進行博士後研究。
    這段經曆讓他打下了堅實的學術基礎，讓他接觸到國際前沿科研成果和先進研究方法，拓寬了他的學術視野，培養了他的創新能力和科研思維。
    從業之路上，他在國內外多家知名科研機構和企業工作，積累了豐富的實踐經驗，在等離子體工藝模擬軟件研發、芯片刻蝕工藝等方麵取得重大成果，推動了我國集成電路產業發展，這些成就為他當選院士提供了有力支撐。
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