第830章 芯片進展2
字數:4107 加入書籤
設計負責人臉上的自豪感褪去,變得凝重起來。
他看向了工藝整合負責人和設計工藝產品線總裁孟良凡。
馮庭波適時接話:
“塵風總問到了核心。
設計隻是藍圖,製造才是將藍圖變為現實的關鍵。
下麵,就請工藝團隊和孟總,為我們揭示‘獵人’芯片在14nm FinFET平台上的真實情況。”
工藝整合負責人深吸一口氣,站了起來。
他操作投影,畫麵切換到了一張令人眼花繚亂的多維度圖表:14nm FinFET工藝平台良率追蹤圖。
上麵布滿了各種顏色的曲線,代表著不同批次的晶圓、不同的測試結構、在不同的關鍵工藝節點上的良率表現。
“姚總的問題非常直接,我也直接回答。”他的聲音努力保持平靜,但能聽出緊張。
“‘獵人’芯片,是基於我們華興EDA團隊與海思共同開發的新一代PDK進行設計和仿真的。
其仿真模型,大量參考了孟教授團隊帶來的理論模型和中芯國際產線的早期數據。”
他指向圖表的核心區域,一條原本劇烈波動但近期逐漸趨於平穩的曲線:
“這就是‘獵人’芯片核心計算模塊的MPW試產良率趨勢。
經過五輪艱苦的工藝迭代和設計優化,其綜合良率,已從最初的令人絕望的31%,提升並穩定在68.5%。
最近三個批次的波動範圍已經控製在±2%以內。”
“68.5%?”姚塵風身體前傾,手指停止了敲擊,語氣中混合著驚訝和欣喜。
“如果我沒記錯,上次季度匯報,這個數字還在45%徘徊。
這個爬坡速度,超出了我們內部的預期。
怎麽做到的?”
“是的,姚總,提升速度確實超預期。”負責人語氣肯定,也有振奮。
“突破主要來自三個方麵:
首先是孟總團隊帶來的FinFET三維鰭片形狀和應力工程的精確調控模型,優化了載流子遷移率,顯著降低了漏電流,這是提升良率和能效的基礎。”
“其次,是在後段互連環節,我們和中芯國際的夥伴共同攻關,采用了新的銅互連阻擋層材料和更低介電常數的低k介質,有效降低了RC延遲和整體芯片功耗。”
“而第三點,至關重要,”他提高了音量,目光轉向陳默。
“陳總領導的EDA團隊,提供了更新一代、精度更高的PDK和仿真模型。
特別是其中的化學機械拋光(CMP)建模和麵向製造的設計(DFM)規則檢查,讓我們在設計階段就預先規避了超過30%的潛在製造熱點(HOtSpOt)和天線效應問題。
這大大減少了流片後的反複次數,縮短了良率爬升周期。
可以說,是設計和工具的進步,反向拉動了製造工藝的成熟。”
孟良凡這時推了推眼鏡,嚴謹底補充道:
“庭波總、陳總、姚總,68.5%的良率,對於一條完全依靠我們自身技術力量摸索、且受到諸多外部限製的14nm FinFET工藝線而言,是一個裏程碑,它證明了技術路線的可行性。
這標誌著我們已初步掌握了中端性能芯片的自主可控設計製造能力。”
他話鋒一轉,依舊保持著客觀:
&n成熟製程超過95%的良率相比,差距巨大。
這意味著我們的成本劣勢短期內難以消除,可能高出30%50%。
同時,受限於當前工藝水平,芯片的峰值性能和高頻下的功耗,與國際最先進水平存在一代左右的差距。”
馮庭波接過話頭,目光灼灼地看向姚塵風,語氣沉穩而決斷:
“塵風總,差距存在,但意義更大。
這意味著我們的手中有了一張牌。
我正式提議,啟動‘獵人計劃’。
下一代榮耀Play係列、榮耀X係列,以及部分平板和物聯網產品的核心芯片,必須有一部分型號切換到這個自研平台。
初期可能會犧牲一部分利潤和極致的性能體驗,但我們必須邁出這一步,在實踐中打磨流程,積累數據,建立我們對自主芯片的信心體係和供應鏈。”
姚塵風沒有立刻回答,他再次低頭,手指在平板電腦上飛快地運算著。
他模擬著各種成本、定價、市場和風險場景。
會議室裏鴉雀無聲,隻有他指尖敲擊屏幕的細微聲響。
幾分鍾後,他抬起頭,最終拍板:
“同意!風險可控,戰略價值遠超短期財務表現。
海思盡快交付最終GDSII,終端研發、測試和供應鏈這邊我會親自盯,立即啟動‘獵人計劃’。
但我有三個條件:
第一,海思和製造端必須立軍令狀,保證芯片的絕對穩定性和可靠性,中端機用戶規模大,出大規模質量問題就是品牌災難。
第二,財務部牽頭,核算成本,初期虧損由集團戰略專項基金覆蓋,但必須給出明確的良率提升和成本下降路徑圖,我要在一年內看到成本逼近可接受區間。
第三,”
他頓了頓,語氣加重,目光掃過馮庭波和陳默。
“這僅僅是‘備胎’和練兵場,我們最終的目標是旗艦機。
高端的N+1工藝進度,絕不能因為14nm FinFET的進展而有絲毫鬆懈。
我要的是能用在下一代Mate和P係列上,能正麵抗衡高通和蘋果的芯片。
N+1的進展,現在到底是什麽情況?”
姚塵風的追問,讓剛剛稍有緩和的氣氛再次激起千層浪。
所有人的心都提了起來,目光聚焦在那位工藝整合負責人身上。
負責人的表情瞬間變得更加嚴峻,他甚至下意識地深吸了一口氣,才操作電腦。
投影畫麵切換到一個更加複雜、數據點更加稀疏且波動劇烈的圖表:N+1工藝良率追蹤圖。
那如同癲癇患者心跳般的曲線,讓所有懂行的人心裏都是一沉。
“姚總、馮總,N+1工藝,我們麵臨的是一堵技術界的‘歎息之壁’。”他的聲音幹澀。
&n更高的晶體管密度和能效比,這要求我們在晶體管架構、新材料、新集成技術上都取得突破。
目前,我們在三個核心領域遇到了巨大的、近乎原理性的困難。”
他逐一指出圖表上的幾個致命低穀:
